Исследование электронных процессов и оптимизация полупроводниковой структуры инжекционно-пролетного диода: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Павлов, Г. П. |
| Опубликовано: | Горький , 1981 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17450940000 | ||
| 005 | 20070424173340.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070424d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электронных процессов и оптимизация полупроводниковой структуры инжекционно-пролетного диода $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Горький $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. Библиогр.: с. 20 (7 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Павлов $b Г. П. $g Георгий Павлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |