Феноменологические модели глубоких примесных центров в полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Осипов, Е. Б. |
| Опубликовано: | СПб. , 1991 |
| Физические характеристики: |
26 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17340270000 | ||
| 005 | 20070424170833.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [92-763а] |
| 100 | # | # | $a 20070424d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Феноменологические модели глубоких примесных центров в полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a СПб. $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 26 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-26 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Осипов $b Е. Б. $g Евгений Борисович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |