Исследование и разработка физических и схемотехнических принципов построения высокоэффективных быстродействующих полупроводниковых интегральных схем оперативной памяти на биполярных транзисторных структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн наук: (05.12.18)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ430250СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Орликовский, А. А.
Опубликовано: М. , 1982
Физические характеристики: 43 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17270730000
005 20070423143200.0
100 # # $a 20070423d1982 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование и разработка физических и схемотехнических принципов построения высокоэффективных быстродействующих полупроводниковых интегральных схем оперативной памяти на биполярных транзисторных структурах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн наук  $e (05.12.18) 
210 # # $a М.  $d 1982 
215 # # $a 43 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 33-43 (45 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.12.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Орликовский  $b А. А.  $g Александр Александрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070423  $g psbo