Создание и исследование фотоэлектрических свойств диодных структур на основе полупроводников AIIBIVCV2: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.01) / АН ТуркмССР. Физико-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Овезов, К. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1977 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17081710000 | ||
| 005 | 20180622151922.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070423d1977 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Создание и исследование фотоэлектрических свойств диодных структур на основе полупроводников AIIBIVCV2 $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.04.01) $f АН ТуркмССР. Физико-техн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1977 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 20-21 (14 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Овезов $b К. $g Керимберды |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070423 $g psbo |