Жидкофазная эпитаксия изопериодных Ga{н.инд.}(x)In{н.инд.}(1-x)As{н.инд.}(y)Sb{н.инд.}(1-y)/GaSb фотодиодных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН УзССР, Ин-т ядер. физики

Сохранено в:
Шифр документа: 50862/88СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Объедков, Е. В.
Опубликовано: Ташкент , 1988
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17077940000
005 20070423140421.0
100 # # $a 20070423d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Жидкофазная эпитаксия изопериодных Ga{н.инд.}(x)In{н.инд.}(1-x)As{н.инд.}(y)Sb{н.инд.}(1-y)/GaSb фотодиодных структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07)  $f АН УзССР, Ин-т ядер. физики 
210 # # $a Ташкент  $d 1988 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 18 (8 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Объедков  $b Е. В.  $g Евгений Витальевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070423  $g psbo