Нелегированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Молд. гос. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 134571/91СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Нугманов, Д. Л.
Опубликовано: Кишинев , 1991
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17028050000
005 20070423140015.0
100 # # $a 20070423d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a MD 
200 1 # $a Нелегированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Молд. гос. ун-т 
210 # # $a Кишинев  $d 1991 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Нугманов  $b Д. Л.  $g Дамир Лукманджанович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070423  $g psbo