Импульсный отжиг радиационных дефектов в полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нидаев, Е. В. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1981 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16757380000 | ||
| 005 | 20070418172027.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070418d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Импульсный отжиг радиационных дефектов в полупроводниках $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. Библиогр.: с. 16-17 (18 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Нидаев $b Е. В. $g Евгений Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070418 $g psbo |