Разработка количественных методов исследования структурных дефектов и микрорельефа полупроводниковых и диэлектрических слоев в растровом электронном микроскопе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Немцева, Н. С. |
Опубликовано: | М. , 1990 |
Физические характеристики: |
19 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|