Разработка количественных методов исследования структурных дефектов и микрорельефа полупроводниковых и диэлектрических слоев в растровом электронном микроскопе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники

Сохранено в:
Шифр документа: 102641/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Немцева, Н. С.
Опубликовано: М. , 1990
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16680750000
005 20070418171127.0
100 # # $a 20070418d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка количественных методов исследования структурных дефектов и микрорельефа полупроводниковых и диэлектрических слоев в растровом электронном микроскопе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Моск. ин-т электрон. техники 
210 # # $a М.  $d 1990 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-19 (18 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Немцева  $b Н. С.  $g Нина Степановна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070418  $g psbo