Получение и исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия для диодов Ганна: (05.12.11): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова-Ленина

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ221957,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Недев, Н. К.
Опубликовано: Л. , 1973
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16620010000
005 20070418165839.0
021 # # $a RU  $b [73-27274а] 
100 # # $a 20070418d1973 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение и исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия для диодов Ганна  $e (05.12.11)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук  $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова-Ленина 
210 # # $a Л.  $d 1973 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Список работ авт. в конце текста 
686 # # $a 05.12.11  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Недев  $b Н. К.  $g Недьо Косев 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070418  $g psbo