Получение и исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия для диодов Ганна: (05.12.11): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова-Ленина
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Недев, Н. К. |
Опубликовано: | Л. , 1973 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr16620010000 | ||
005 | 20070418165839.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [73-27274а] |
100 | # | # | $a 20070418d1973 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Получение и исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия для диодов Ганна $e (05.12.11) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова-Ленина |
210 | # | # | $a Л. $d 1973 |
215 | # | # | $a 16 с. |
300 | # | # | $a Список работ авт. в конце текста |
686 | # | # | $a 05.12.11 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Недев $b Н. К. $g Недьо Косев |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070418 $g psbo |