Связь температуры фазового перехода в узкощельных сегнетоэлектриках-полупроводниках Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te с параметрами электронного спектра вблизи инверсии зон: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ470484,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Насыбуллин, Р. А.
Опубликовано: Л. , 1983
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16545310000
005 20070412173820.0
100 # # $a 20070412d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Связь температуры фазового перехода в узкощельных сегнетоэлектриках-полупроводниках Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te с параметрами электронного спектра вблизи инверсии зон  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1983 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a В надзаг.: Ленингр. гос. пед. ин-т им. А. И. Герцена. Библиогр.: с. 14 (5 назв.) 
675 # # $a 537.226.4 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Насыбуллин  $b Р. А.  $g Рамиль Асхатович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070412  $g psbo