Исследование одноканальных инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs: (01.04.03): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нарзуллаев, К. |
| Опубликовано: | М. , 1979 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16524800000 | ||
| 005 | 20070412173710.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [79-13725а] |
| 100 | # | # | $a 20070412d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование одноканальных инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs $e (01.04.03) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Список работ авт.: с. 14-15 (9 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.03 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Нарзуллаев $b К. $g Каюм |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070412 $g psbo |