Исследование процессов излучательной рекомбинации в гетеропереходах GaAs-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-Al{н.инд.}(y)Ga{н.инд.}(1-y)As и разработка конструкций инжекционных излучателей на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ278231,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мхеидзе, Т. Д.
Опубликовано: Л. , 1975
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16385710000
005 20070412164229.0
021 # # $a RU  $b [75-21249а] 
100 # # $a 20070412d1975 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование процессов излучательной рекомбинации в гетеропереходах GaAs-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-Al{н.инд.}(y)Ga{н.инд.}(1-y)As и разработка конструкций инжекционных излучателей на их основе  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1975 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 19-21 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Мхеидзе  $b Т. Д.  $g Тенгиз Давидович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070412  $g psbo