Послойный анализ структуры приповерхностных слоев кристаллов методом стоячих рентгеновских волн на основе экспериментального определения вероятности выхода фотоэлектронов: (01.04.18): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Мухамеджанов, Э. Х. |
Опубликовано: | М. , 1986 |
Физические характеристики: |
14 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr16355260000 | ||
005 | 20070412163946.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [86-2246а] |
100 | # | # | $a 20070412d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Послойный анализ структуры приповерхностных слоев кристаллов методом стоячих рентгеновских волн на основе экспериментального определения вероятности выхода фотоэлектронов $e (01.04.18) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a М. $d 1986 |
215 | # | # | $a 14 с. $c граф. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубнинова. Библиогр.: с. 13-14 (15 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.18 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Мухамеджанов $b Э. Х. $g Энвер Хамзяевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070412 $g psbo |