Релаксационные электронные процессы и аккумуляция заряда в полупроводниковых халькогенидах с участием элементов IIIБ подгруппы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН АзССР, Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мустафаева, С. Н. |
| Опубликовано: | Баку , 1990 |
| Физические характеристики: |
39 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||