Релаксационные электронные процессы и аккумуляция заряда в полупроводниковых халькогенидах с участием элементов IIIБ подгруппы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН АзССР, Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мустафаева, С. Н. |
| Опубликовано: | Баку , 1990 |
| Физические характеристики: |
39 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16343480000 | ||
| 005 | 20070412181515.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070412d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Релаксационные электронные процессы и аккумуляция заряда в полупроводниковых халькогенидах с участием элементов IIIБ подгруппы $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН АзССР, Ин-т физики |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 39 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 33-39 (60 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Мустафаева $b С. Н. $g Солмаз Наримановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070412 $g psbo |