Влияние легирующих примесей висмута, иттерия и олова на поведение собственных точечных дефектов и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова

Сохранено в:
Шифр документа: 116802/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Моргун, А. И.
Опубликовано: М. , 1990
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16130790000
005 20070411150351.0
100 # # $a 20070411d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Влияние легирующих примесей висмута, иттерия и олова на поведение собственных точечных дефектов и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.27.06)  $f Моск. ин-т тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова 
210 # # $a М.  $d 1990 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-22 (11 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Моргун  $b А. И.  $g Алла Ивановна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070411  $g psbo