Получение МОС-гидридным методом и исследование параметров эпитаксильных слоев и гетероструктур в системах Al-Ga-As и Ge-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 4315/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мокан, И. И.
Опубликовано: Л. , 1983
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr16070190000
005 20070410154155.0
100 # # $a 20070410d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение МОС-гидридным методом и исследование параметров эпитаксильных слоев и гетероструктур в системах Al-Ga-As и Ge-GaAs  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1983 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-15 (5; 5 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Мокан  $b И. И.  $g Игорь Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070410  $g psbo