Исследование и разработка технологического процесса создания высокоомных резистивных элементов гибридных интегральных микросхем на поверхности анодных оксидов алюминия: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18) / Мин. радиотехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Можухов, А. А. |
| Опубликовано: | Мн. , 1983 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr16049150000 | ||
| 005 | 20220119133240.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070410d1983 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a BY |
| 200 | 1 | # | $a Исследование и разработка технологического процесса создания высокоомных резистивных элементов гибридных интегральных микросхем на поверхности анодных оксидов алюминия $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.12.18) $f Мин. радиотехн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Мн. $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-24 (14 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Можухов $b А. А. $g Алексей Анатольевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070410 $g psbo |