Исследование МДП транзисторов с инверсным каналом методами моделирования: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Миропольский, М. С. |
Опубликовано: | Л. , 1980 |
Физические характеристики: |
19 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr15849520000 | ||
005 | 20210312095749.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [80-10657а] |
100 | # | # | $a 20070406d1980 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование МДП транзисторов с инверсным каналом методами моделирования $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a Л. $d 1980 |
215 | # | # | $a 19 с. $c граф. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина). Библиогр.: с. 19 (5 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Миропольский $b М. С. $g Михаил Сергеевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070406 $g psbo |