Моделирование субмикронных полевых транзисторов с барьером Шоттки методом частиц: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Киев. политехн. ин-т им. 50-летия Великой Окт. соц. революции

Сохранено в:
Шифр документа: 65346/88СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Минаков, В. В.
Опубликовано: Киев , 1988
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr15771940000
005 20070405165609.0
100 # # $a 20070405d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Моделирование субмикронных полевых транзисторов с барьером Шоттки методом частиц  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.27.01)  $f Киев. политехн. ин-т им. 50-летия Великой Окт. соц. революции 
210 # # $a Киев  $d 1988 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Минаков  $b В. В.  $g Владимир Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070405  $g psbo