Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс

Сохранено в:
Шифр документа: АН964203, АР429317, АУ539141, ##1//459712(055),
Вид документа: Книги
Автор: Милнс, А. Г.
Опубликовано: М. : Мир , 1977
Физические характеристики: 562 с. : ил. ; 22 см
Язык: Русский
Предмет:
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr15743500000
005 20070406131958.0
010 # # $b В пер.  $d 4 р. 6 к. 
021 # # $a RU  $b [77-7607] 
100 # # $a 20070406d1977 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках  $f А. Милнс  $g Пер. с англ. канд. физ.-мат наук Г. С. Пекаря; Под ред. д-ра физ.-мат. наук, проф. М. К. Шейнкмана 
210 # # $a М.  $c Мир  $d 1977 
215 # # $a 562 с.  $c ил.  $d 22 см 
300 # # $a Пер. изд.: Deep impurities in semiconductors / A. G. Milnes (New York a. o). Список лит.: с. 448-546. - Предм. указ.: с 547-558 
610 0 # $a Полупроводники - Примеси 
675 # # $a 537.311.322:548.4 
700 # 1 $a Милнс  $b А. Г. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070406  $g psbo