Новый метод для теории примесных состояний в полупроводниках / Мехтиев, М. А., Ибрагимов, Г. Б., Хатамов, М. Х.

Сохранено в:
Шифр документа: М248597,
Вид документа: Книги
Автор: Мехтиев, М. А.
Опубликовано: Баку , 1983
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
Серия: Препринт № 77
Предмет:
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr15679450000
005 20070406163806.0
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [83-69615] 
100 # # $a 20070406d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Новый метод для теории примесных состояний в полупроводниках  $f Мехтиев, М. А., Ибрагимов, Г. Б., Хатамов, М. Х. 
210 # # $a Баку  $d 1983 
215 # # $a 21 с. 
225 2 # $a Препринт  $f АН АзССР. Ин-т физики  $v № 77 
300 # # $a Библиогр.: с. 21 (10 назв.) 
345 # # $9 100 экз. 
610 0 # $a Полупроводники - Примеси 
675 # # $a 537.311.322:548.4 
700 # 1 $a Мехтиев  $b М. А. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070406  $g psbo