Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе InAs и его твердых растворов и InP в магнитных полях: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мередов, М. М. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1981 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr15636070000 | ||
| 005 | 20070406150415.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [81-12839а] |
| 100 | # | # | $a 20070406d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе InAs и его твердых растворов и InP в магнитных полях $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т. Библиогр.: с. 20-21 (8 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Мередов $b М. М. $g Меред Мелеевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070406 $g psbo |