Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AIGaAs для приборов микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10 ; 05.27.01) / Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Медведев, Б. К. |
| Wydane: | М. , 1992 |
| Opis fizyczny: |
81 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||