Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AIGaAs для приборов микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10 ; 05.27.01) / Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Медведев, Б. К. |
| Апублікавана: | М. , 1992 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
81 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||