Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AIGaAs для приборов микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10 ; 05.27.01) / Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Медведев, Б. К. |
| Опубликовано: | М. , 1992 |
| Физические характеристики: |
81 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr15492690000 | ||
| 005 | 20230329100925.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070404d1992 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AIGaAs для приборов микроэлектроники $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10 ; 05.27.01) $f Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1992 |
| 215 | # | # | $a 81 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 74-81 (49 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Медведев $b Б. К. $g Борис Константинович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070404 $g psbo |