Разработка и исследование свойств гетероструктур в системе InGaAsP/InP для излучателей с λ≃1,3 мкм: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Мдивани, В. Н. |
| Publicado: | Л. , 1982 |
| Descripción Física: |
21 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||