Разработка и исследование свойств гетероструктур в системе InGaAsP/InP для излучателей с λ≃1,3 мкм: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мдивани, В. Н. |
| Опубликовано: | Л. , 1982 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr15486070000 | ||
| 005 | 20070404141517.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070404d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка и исследование свойств гетероструктур в системе InGaAsP/InP для излучателей с λ≃1,3 мкм $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 19-21 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Мдивани $b В. Н. $g Владимир Нодарович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070404 $g psbo |