Электрофизические свойства МДП и Me -nSi структур, изготовленных методом полуоткрытой ампульной диффузионной системы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Мамишев, Р. Т. |
| Опубликовано: | Баку , 1990 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr15115200000 | ||
| 005 | 20231122110029.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070329d1990 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства МДП и Me -nSi структур, изготовленных методом полуоткрытой ампульной диффузионной системы $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-18 (13 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Мамишев $b Р. Т. $g Рафаил Таги оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070329 $g psbo |