
Исследование диффузионных p-n переходов, созданных на основе монокристаллов твердых растворов Ge-Si: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Мамедова, Г. А. |
Опубликовано: | Баку , 1974 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr15105530000 | ||
005 | 20070329170353.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [74-20979а] |
100 | # | # | $a 20070329d1974 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a AZ |
200 | 1 | # | $a Исследование диффузионных p-n переходов, созданных на основе монокристаллов твердых растворов Ge-Si $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН АзССР. Ин-т физики |
210 | # | # | $a Баку $d 1974 |
215 | # | # | $a 20 с. |
300 | # | # | $a Список лит. в конце текста (9 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Мамедова $b Г. А. $g Гюльнар Ахмед кызы |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070329 $g psbo |