Исследование диффузионных p-n переходов, созданных на основе монокристаллов твердых растворов Ge-Si: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ246401,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мамедова, Г. А.
Опубликовано: Баку , 1974
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr15105530000
005 20070329170353.0
021 # # $a RU  $b [74-20979а] 
100 # # $a 20070329d1974 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Исследование диффузионных p-n переходов, созданных на основе монокристаллов твердых растворов Ge-Si  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН АзССР. Ин-т физики 
210 # # $a Баку  $d 1974 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Список лит. в конце текста (9 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Мамедова  $b Г. А.  $g Гюльнар Ахмед кызы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070329  $g psbo