Фотоэлектрические свойства и фазовый переход в эпитаксиальных слоях Рв{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)Te и Рв{н.инд.}(1-x)Cd{н.инд.}(x)Se: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ460350,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Максимов, М. Х.
Опубликовано: М. , 1983
Физические характеристики: 17 с. : ил.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr14955860000
005 20070328162722.0
021 # # $a RU  $b [83-7694а] 
100 # # $a 20070328d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фотоэлектрические свойства и фазовый переход в эпитаксиальных слоях Рв{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)Te и Рв{н.инд.}(1-x)Cd{н.инд.}(x)Se  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a М.  $d 1983 
215 # # $a 17 с.  $c ил. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ. ин-т им. П. И. Лебедева. Библиогр.: с. 16-17 (5 назв.) 
675 # # $a 621.315.592 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Максимов  $b М. Х.  $g Максим Христов 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070328  $g psbo