Исследование электрических и фотоэлектрических свойств GaAs и GaP поверхностно-барьерных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Львова, Т. В. |
| Wydane: | Л. , 1983 |
| Opis fizyczny: |
19 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||