Исследование электрических и фотоэлектрических свойств GaAs и GaP поверхностно-барьерных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Львова, Т. В. |
| Апублікавана: | Л. , 1983 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
19 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||