Разработка и исследование ионно-плазменной технологии сверхпроводниковых пленок NbN для S↔N переключающих устройств: (05.27.02): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Лысек, К. |
| Опубликовано: | Л. , 1988 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr14687230000 | ||
| 005 | 20230628151708.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [88-21722а] |
| 100 | # | # | $a 20070326d1988 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка и исследование ионно-плазменной технологии сверхпроводниковых пленок NbN для S↔N переключающих устройств $e (05.27.02) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 12-13 (7 назв.) |
| 686 | # | # | $a 05.27.02 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Лысек $b К. $g Кшиштеф |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070326 $g psbo |