Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Логинова, И. Д. |
| Опубликовано: | Л. , 1984 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr14486540000 | ||
| 005 | 20070322200203.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070322d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Логинова $b И. Д. $g Инга Дмитриевна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070322 $g psbo |