Влияние возбуждения электронной подсистемы на дефектообразование в приконтактных областях полупроводников: (01.04.02): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Левандовский, В. Г. |
| Опубликовано: | Киев , 1985 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr14057470000 | ||
| 005 | 20070319153939.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [85-19546а] |
| 100 | # | # | $a 20070319d1985 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Влияние возбуждения электронной подсистемы на дефектообразование в приконтактных областях полупроводников $e (01.04.02) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко. Библиогр.: с. 19-20 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.02 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Левандовский $b В. Г. $g Виталий Георгиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070319 $g psbo |