Электрофизические свойства светоизлучающих структур из GaN:Zn и GaN:(Zn-О): (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Тарт. гос. ун-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Лебедев, Я. Д. |
Опубликовано: | Тарту , 1988 |
Физические характеристики: |
14, [1] с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr14034290000 | ||
005 | 20070319153024.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [88-11760а] |
100 | # | # | $a 20070319d1988 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a EE |
200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства светоизлучающих структур из GaN:Zn и GaN:(Zn-О) $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Тарт. гос. ун-т |
210 | # | # | $a Тарту $d 1988 |
215 | # | # | $a 14, [1] с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (9 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Лебедев $b Я. Д. $g Яков Дмитриевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070319 $g psbo |