Электрофизические свойства светоизлучающих структур из GaN:Zn и GaN:(Zn-О): (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Тарт. гос. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 71956/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лебедев, Я. Д.
Опубликовано: Тарту , 1988
Физические характеристики: 14, [1] с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr14034290000
005 20070319153024.0
021 # # $a RU  $b [88-11760а] 
100 # # $a 20070319d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a EE 
200 1 # $a Электрофизические свойства светоизлучающих структур из GaN:Zn и GaN:(Zn-О)  $e (01.04.07)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Тарт. гос. ун-т 
210 # # $a Тарту  $d 1988 
215 # # $a 14, [1] с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-15 (9 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Лебедев  $b Я. Д.  $g Яков Дмитриевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070319  $g psbo