Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs<Bi>: (02.00.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ле, Д. К. |
| Опубликовано: | М. , 1984 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13998440000 | ||
| 005 | 20070319163654.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [84-16182а] |
| 100 | # | # | $a 20070319d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs<Bi> $e (02.00.04) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т тонкой хим. технологии им. М. В. Ломоносова. Библиогр.: с. 18-19 (5 назв.) |
| 686 | # | # | $a 02.00.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ле $b Д. К. $g Динь Као |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070319 $g psbo |