Вьнужденное излучение в полупроводниковых гетероструктурах InGaAsP/InP с периодическими неоднородностями в условиях оптической накачки: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Лазутка, А. С. |
| Опубликовано: | Л. , 1988 |
| Физические характеристики: |
16, [1] с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13881890000 | ||
| 005 | 20070313172929.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [88-19038а] |
| 100 | # | # | $a 20070313d1988 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Вьнужденное излучение в полупроводниковых гетероструктурах InGaAsP/InP с периодическими неоднородностями в условиях оптической накачки $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 16, [1] с. |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Лазутка $b А. С. $g Андрюс Стасевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070313 $g psbo |