Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии полупроводников типа A³B⁵: (01.04.10): (На прим. арсенида галлия). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ430858,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лаврентьева, Л. Г.
Опубликовано: Новосибирск , 1981
Физические характеристики: 38 с. : черт.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr13824060000
005 20070313142754.0
021 # # $a RU  $b [82-1000а] 
100 # # $a 20070313d1981 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии полупроводников типа A³B⁵  $e (01.04.10)  $e (На прим. арсенида галлия). Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук 
210 # # $a Новосибирск  $d 1981 
215 # # $a 38 с.  $c черт. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, СО, Ин-т физики полупроводников. Библиогр.: с. 31-38 (62 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Лаврентьева  $b Л. Г.  $g Людмила Германовна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070313  $g psbo