Исследование фотопроводимости и излучательной рекомбинации в полупроводниках типа A³B⁵, A³B⁶, A²B⁴C₂⁵ и других: Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (0.49) / АН УССР. Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кролевец, Н. М. |
| Опубликовано: | Киев , 1972 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13219040000 | ||
| 005 | 20070301144228.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070301d1972 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование фотопроводимости и излучательной рекомбинации в полупроводниках типа A³B⁵, A³B⁶, A²B⁴C₂⁵ и других $e Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (0.49) $f АН УССР. Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1972 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 22-23 (15 назв.) |
| 686 | # | # | $a 0.49 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кролевец $b Н. М. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070301 $g psbo |