Исследование особенностей излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaAsP/GaAs с тонкими активными областями: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Красовский, В. В. |
| Опубликовано: | Л. , 1987 |
| Физические характеристики: |
18 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||