Кинетика формирования и свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных МОС-гидридным методом, на подложках GaAs, подвергнутых облучению ионами аргона и лазерной плазмой мышьяка: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН СССР, Урал. отдние, Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Краснов, А. А. |
| Опубликовано: | Ижевск , 1987 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||