Кинетика формирования и свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных МОС-гидридным методом, на подложках GaAs, подвергнутых облучению ионами аргона и лазерной плазмой мышьяка: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН СССР, Урал. отдние, Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Краснов, А. А. |
| Опубликовано: | Ижевск , 1987 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13104120000 | ||
| 005 | 20070227162116.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070227d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Кинетика формирования и свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных МОС-гидридным методом, на подложках GaAs, подвергнутых облучению ионами аргона и лазерной плазмой мышьяка $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f АН СССР, Урал. отдние, Физ.-техн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Ижевск $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 22-24 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Краснов $b А. А. $g Александр Артемьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070227 $g psbo |