Исследование процессов осаждения эпитаксиальных слоев окиси цинка из газовой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кочнев, Н. И. |
| Опубликовано: | М. , 1980 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr13020340000 | ||
| 005 | 20070227193102.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070227d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов осаждения эпитаксиальных слоев окиси цинка из газовой фазы $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук $e (05.17.16) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электронной техники. Библиогр.: с. 19 (7 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кочнев $b Н. И. $g Николай Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070227 $g psbo |