Электрические и фотоэлектрические явления в AIGaAs гетероструктурах и их применение в полупроводниковых приборах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Корольков, В. И. |
| Опубликовано: | Л. , 1979 |
| Физические характеристики: |
31 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12809090000 | ||
| 005 | 20070222185810.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [79-10818а] |
| 100 | # | # | $a 20070222d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические явления в AIGaAs гетероструктурах и их применение в полупроводниковых приборах $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 31 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Список работ авт.: с. 25-31 (50 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Корольков $b В. И. $g Владимир Ильич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070222 $g psbo |