|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr12809080000 |
| 005 |
20170420103212.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 1 р. 50 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-100884]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070222d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур
$f Отв. ред. Ж. И. Алферов
$g Наманган. гос. пед. ин-т им. Х. Х. Ниязи
|
| 210 |
# |
# |
$a Ташкент
$c Фан
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 150, [2] с.
$c ил.
$d 20 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 139-151
|
| 345 |
# |
# |
$9 2055 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Гетеропереходы
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые приборы
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.2/.3
|
| 700 |
# |
1 |
$a Корольков
$b В. И.
$g Владимир Ильич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Рахимов
$b Н.
$g Найимжан
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070222
$g psbo
|
