Излучательная рекомбинация на поверхности GaAs в слоистых структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР. Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Корбутяк, Д. В. |
| Опубликовано: | Киев , 1976 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12700630000 | ||
| 005 | 20070221172841.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070221d1976 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Излучательная рекомбинация на поверхности GaAs в слоистых структурах $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН УССР. Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1976 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 15-16 (12 назв.). Список лит.: с. 16 (8 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Корбутяк $b Д. В. $g Дмитрий Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070221 $g psbo |