Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AIGaAs: (01.04.10): (Основы технологии получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств) : Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 156660/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Копьев, П. С.
Опубликовано: СПб. , 1992
Физические характеристики: 40 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12693520000
005 20070221172841.0
021 # # $a RU  $b [92-6108а] 
100 # # $a 20070221d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AIGaAs  $e (01.04.10)  $e (Основы технологии получения методом молекуляр.-пучковой эпитаксии и исслед. свойств) : Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.  $f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a СПб.  $d 1992 
215 # # $a 40 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 33-40 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Копьев  $b П. С.  $g Петр Сергеевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070221  $g psbo